製品情報
SWA “UV” Laser series
レーザアニーリング装置
次世代パワーデバイス用レーザアニール装置
適用例) SiCオーミック・コンタクト生成、活性化など
非照射面の温度上昇を抑えつつ、メタル-SiC界面を高温に加熱し、OPTSWING※（独自の高速スキャン方式）でオーミック・コンタクトの生成を実現します。
適用例) SiCオーミック・コンタクト生成、活性化など
非照射面の温度上昇を抑えつつ、メタル-SiC界面を高温に加熱し、OPTSWING※（独自の高速スキャン方式）でオーミック・コンタクトの生成を実現します。
特長
OPTSWING採用による高速スキャン
ビームを走査させる方式で高スループットを実現。
8インチウェハに対応
小片から8インチまでのウェハの処理が可能。
トップハットビーム
優れた面内均一性を確保。
シミュレーション技術
温度シミュレーションによるアニール条件の最適化が可能。
プロセス雰囲気制御 各種モニタリング機能（ビーム形状など）
仕様
| モデル / Model | SWA-20US | |
|---|---|---|
| ウェハサイズ / Wafer Size | 〜φ200mm (8in) | ◯ |
| レーザ / Laser | UV-YAG Laser | 10W |
| ビームサイズ / Beam Size | FWHM | φ100um |
| プロセス雰囲気 / Process Atmosphere | N2 / Air | |
| プロセス温度 / Process Temperature | Room Temperature | |
| ウェハ搬送 / Wafer Handing | Automatic | |